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資訊動(dòng)態(tài)
AVX鉭電容的損耗角正切和耗散因數
損耗角正切(TAN)
這是一個(gè)在電容器的能量損耗的測量。它表示,為棕褐色,是電容器的功率損耗其無(wú)功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語(yǔ)是功率因數,損耗因子和介電損耗。 COS(90 - )是真正的功率因數。 “使用測量進(jìn)行測量譚橋梁,提供一個(gè)0.5V RMS120Hz的正弦信號,免費諧波的2.2Vdc的偏見(jiàn)。
耗散因數(D.F.)。
耗散因數測量的切線(xiàn)損耗角(TAN),以百分比表示。測量DF是開(kāi)展測量橋梁供應一個(gè)0.5V RMS120Hz的正弦信號,免費諧波與偏見(jiàn)2.2Vdc。 DF值是溫度和頻率依賴(lài)性。注意:對于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF值表示的收視率表是很重要請注意,這些限額會(huì )見(jiàn)了由組件后基板上焊接。
耗散因數的頻率依賴(lài)性
隨著(zhù)頻率的增加損耗因數所示鉭和OxiCap廬電容器的典型曲線(xiàn)相同的:
耗散與溫度的關(guān)系
耗散系數隨溫度變化的典型曲線(xiàn)表演。這些地塊是鉭和OxiCap相同®電容器。對于最高限額,請參閱的評分表。
AVX鉭電容的阻抗(Z)。
這是電流電壓的比值,在指定的頻率。三個(gè)因素促成了鉭電容器的阻抗;半導體層的電阻電容價(jià)值和電極和引線(xiàn)電感。在高頻率導致的電感成為一個(gè)限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個(gè)因素的阻抗行為阻抗Z。阻抗是在25° C和100kHz。
AVX鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR。
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機制,包括電阻元件和觸點(diǎn),粘性勢力內介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達對他們的這些損失的影響視為電容的ESR。 ESR的頻率依賴(lài)性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC其中F是赫茲的頻率,C是電容法拉。ESR是在25 ° C和100kHz的測量。ESR是阻抗的因素之一,在高頻率(100kHz和以上)就變成了主導因素。從而ESR和阻抗幾乎成了相同,阻抗僅小幅走高。
AVX鉭電容的阻抗和ESR的頻率依賴(lài)性。
ESR和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻分歧阻抗(由于電容器的電抗)變得更加重要。除了1MHz的(和超越電容的諧振點(diǎn))阻抗再次增加由于電感,電容的。典型ESR和阻抗值是類(lèi)似的鉭,鈮氧化物材料,從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap®電容器。
AVX代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系
和ESR。在100kHz,阻抗和ESR的行為相同,隨著(zhù)溫度的升高下降的典型曲線(xiàn)
鉭電容的浪涌電壓
是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC國家1KΩ)能承受的最高電壓。浪涌電壓,常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內可達到高達10倍額度電壓并高達30秒的時(shí)間。浪涌電壓只作為參考參數,不能用作電路設計的依據,在正常運行過(guò)程中,電容應定期充電和放電。
不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的,在85度及以下溫度時(shí),分類(lèi)電壓VC等于額定電壓VR,浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍;在85到125度時(shí),分類(lèi)電壓VC等于額定電壓VR的0.66倍,浪涌電壓VS等于分類(lèi)電壓VC的1.3倍。
AVX鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的,這是基于所有電解電容的共同屬性,一個(gè)值夠高的電應力會(huì )穿過(guò)電介質(zhì),從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6伏的鉭電容在額定電壓運行時(shí),有一個(gè)167千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì )超過(guò)規定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層使用的半導體二氧化錳有自愈能力。然而,這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下,電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容,增加了元件的可靠性。AVX公司推薦降級表“(第119頁(yè))總結額定電壓使用上常見(jiàn)的電壓軌跡,低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí),保護電阻建議為1Ω/ V。如果達不到此要求應使用鉭電容器降壓系數高達70%。在這種情況下,可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。 A系列組合應被用來(lái)增加工作電壓的等效電容器:例如,兩個(gè)22μF25V系列部分相當于一個(gè)11μF50V的一部分。
鉭電容的反向電壓
AVX鉭電容的反向電壓是有嚴格的限制的,具體如下:
在1.0V 25° C條件下最大為10%的額定直流工作電壓
在0.5V 85° C條件下最大為3%的額定直流工作電壓
在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓
反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高電壓值為準。這些限制是假設鉭電容器偏振光在其大多數的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續施加反向電壓會(huì )導致兩極分化,將導致漏電流增大。在在何種情況下連續反向應用電壓可能會(huì )出現兩個(gè)類(lèi)似的電容應采用與負端接背回配置連接在一起。在大多數情況下這種組合將有一個(gè)標稱(chēng)電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個(gè)周期內,電容可能的方法完整的標稱(chēng)值。反向電壓等級的設計蓋小級別游覽得天獨厚的條件弄錯極性。引用的值是不打算覆蓋連續的反向操作。
鉭電容的疊加交流電壓(Vr.m.s.)------又稱(chēng)紋波電壓
這是最大的r.m.s.交流電壓;疊加一個(gè)特區電壓,可應用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過(guò)該類(lèi)別電壓,v.c.第2節中的全部細節
鉭電容的成型電壓。
這是在陽(yáng)極氧化形成的電壓。 “這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器,并在設置額定電壓的一個(gè)因素。
AVX鉭電容的頻率特性
我們知道每種電容都有它的頻率特性,那么AVX鉭電容的頻率特性是怎么樣的呢?
AVX鉭電容隨著(zhù)頻率的增加有效電容的值會(huì )減小,直到共振達到(通常視0.5 - 5MHz的之間該評級)。除了共振頻率的設備變得感性。除了100kHz的電容繼續下降。
下面以AVX貼片鉭電容E型的220UF 10V規格為例,來(lái)說(shuō)明鉭電容的頻率特性.
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