值得咱們重視的是AVX鉭電容運用中的壓降問(wèn)題，在此咱們以AVX鉭電容的TAJ系列為例，進(jìn)行闡明如下：

    1.AVX鉭電容的浪涌電壓

    AVX鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時(shí)刻通過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC國家1KΩ）能接受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)刻內可到達高達10倍額度電壓并高達30秒的時(shí)刻。浪涌電壓只作為參考參數，不能用作電路規劃的根據，在正常運轉過(guò)程中，電容應定期充電和放電。

    不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85度及以下溫度時(shí)，分類(lèi)電壓VC等于額外電壓VR，浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍；在85到125度時(shí)，分類(lèi)電壓VC等于額外電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類(lèi)電壓VC的1.3倍。

    AVXAVX鉭電容能接受的電壓和電流浪涌才能是有限的，這是根據一切電解電容的一起特點(diǎn)，一個(gè)值夠高的電應力會(huì )穿過(guò)電介質(zhì)，然后破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6伏的AVX鉭電容在額外電壓運轉時(shí)，有一個(gè)167千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因而一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì )超越規定的浪涌電壓評級。作為AVX鉭電容負極板層運用的半導體二氧化錳有自愈才能。但是，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。AVX公司引薦降級表總結額外電壓運用上常見(jiàn)的電壓軌道，低阻抗AVX鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，維護電阻建議為1Ω/V.如果達不到此要求應運用AVX鉭電容器降壓系數高達70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。A系列組合應被用來(lái)增加作業(yè)電壓的等效電容器：例如，兩個(gè)22μF25V系列部分相當于一個(gè)11μF50V的一部分。

    2.AVX鉭電容的反向電壓

    AVXAVX鉭電容的反向電壓是有嚴厲的約束的，具體如下：

    在1.0V25°C條件下最大為10%的額外直流作業(yè)電壓在0.5V85°C條件下最大為3%的額外直流作業(yè)電壓在0.1V125℃條件下最大為1%的額外直流作業(yè)電壓反向電壓值均以AVX鉭電容在任何時(shí)刻上的最高電壓值為準。這些約束是假定AVX鉭電容器偏振光在其大多數的正確方向作業(yè)壽數。他們的目的是包括短期反轉如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)形象深刻的波形的一小部分。接連施加反向電壓會(huì )導致兩極分化，將導致漏電流增大。

    在在何種情況下接連反向使用電壓可能會(huì )出現兩個(gè)相似的電容應選用與負端接背回裝備連接在一起。在大多數情況下這種組合將有一個(gè)標稱(chēng)電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在開(kāi)始幾個(gè)周期內，電容可能的辦法完整的標稱(chēng)值。反向電壓等級的規劃蓋小等級游覽得天獨厚的條件弄錯極性。引證的值是不計劃覆蓋接連的反向操作。

    3.AVX鉭電容的疊加溝通電壓（Vr.m.s.）------又稱(chēng)紋波電壓

    這是最大的r.m.s.溝通電壓；疊加一個(gè)特區電壓，可使用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超越該類(lèi)別電壓。

    4.AVX鉭電容的成型電壓

    這是在陽(yáng)極氧化構成的電壓。“這個(gè)氧化層的厚度是構成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設置額外電壓的一個(gè)要素。